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SQJ469EP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.5
I D = 9.3 A
100
2.1
V GS = 10 V
10
1.7
1
T J = 150 °C
1.3
0.9
0.5
V GS = 6 V
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.1
0.8
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
I D = 5 mA
0
2 4 6 8
10
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 80
I D = 10 mA
- 84
- 88
- 92
- 96
- 100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain-Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2288-Rev. B, 28-Nov-11
4
Document Number: 65936
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